TSMC公司2017年也要量产10nm工艺？

虽然16纳米FinFET技术落后于三星甚至Globalfoundries的14纳米FinFET技术，但TSMC开发新技术的决心不会改变，未来与英特尔的技术差距将会缩短。16纳米工艺之后是10纳米工艺。TSMC已经和很多客户联合设计10纳米产品，预计2017年量产。

Guru3d网站日前在TSMC技术研讨会上与TSMC负责基础设施建设的高级主管Suk Lee进行了沟通，双方就TSMC的工艺进展进行了交流。TSMC联合首席执行官兼总裁雷颂德(刘德音)提到，10纳米工艺将在16纳米工艺之后迅速跟进，李硕也表示，他们的10纳米工艺正在进行中，已经完成了超过35款使用ARM CPU内核的EDA工具的认证。

此外，他们在10纳米流程中提前六个月开始了与客户的知识产权验证流程。目前有10家客户在合作10纳米产品。TSMC将于201开发者_Go百科5年底前完成认证工作，并正在与客户合作于2017年进行电影制作和量产。

10纳米后是7纳米。李硕表示，不方便评论具体流程。然而，TSMC已经开发了10纳米后的工艺，预计7纳米工艺将在2017-2019年问世。

巧合的是，英特尔估计10纳米制程的量产时间也在2017年。如果进展顺利，届时TSMC将能够跟上英特尔的最新进程。英特尔去年大规模生产了14纳米工艺，FinFET晶体管早在2012年就被用于IVB处理器，而TSMC的16纳米FinFET工艺预计要到今年下半年才能大规模生产。