索尼美光公布内存最新成果，可取代DDR类内存？

目前，业界正在开发一种新型的存储芯片，即名为ReRAM的电阻式存储器。这种存储芯片不仅具有DRAM级别的读写速度，而且可以像NAND闪存一样断电后存储数据，可以说是集二者之长。现在，ReRAM芯片的开发已经初见成效。近日，索尼和美光联合公布最新研究成果，称其试制产品的性能与理论数据非常接近。

索尼美光联合宣布的是一款16Gb(2GB)的ReRAM芯片，据说是基于27nm CMOS技术，可以用来替代现有的DDR SDRAM芯片，可以用在移动设备或者PC上。从公布的信息来看，这款芯片的实际性能为读取900MB/s、写入180MB/s，非常接近其读取1000MB/s、写入200MB/s的理论性能，具有很高的量产和商业化可能性。

开发者_开发技巧另外，从两家公司公布的成品来看，这款ReRAM芯片应该是索尼早期研究成果的延续。毕竟索尼早在2011年就公布了小容量样品，而美光早前的研发工作则集中在相变存储芯片PRAM上，目前的ReRAM产品应该是“索尼开发”和“美光制造”的联合成果。